时间：2025/8/24 15:53:46
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FDV301N-NB9V005是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的小信号场效应晶体管（MOSFET），适用于需要低导通电阻和高开关速度的电路设计。该器件采用SOT-23封装，适合用于负载开关、电源管理和信号切换等应用。FDV301N-NB9V005是一款N沟道增强型MOSFET，设计用于在低电压条件下提供高性能。其额定电压和电流能力使其成为许多便携式电子设备和工业控制系统的理想选择。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：100mA
功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C至150°C
存储温度范围：-65°C至150°C
封装类型：SOT-23
FDV301N-NB9V005具有低导通电阻（RDS(on)）和快速开关特性，使其在低功耗应用中表现出色。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从1.8V到5V的逻辑电平控制，适用于多种电源管理场景。
其SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于在高密度PCB设计中使用。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，能够在各种环境条件下保持稳定性能。FDV301N-NB9V005还具备较低的漏电流（IDSS）和出色的抗静电能力，确保在低功耗和待机模式下的稳定性。
该器件的高频开关能力使其在DC-DC转换器、电池供电系统和信号路由电路中表现优异。此外，FDV301N-NB9V005还适用于需要高可靠性和长寿命的工业和消费类电子产品。
FDV301N-NB9V005广泛应用于便携式电子设备、电源管理系统、电池供电设备、负载开关、LED驱动电路、信号切换和逻辑控制电路等。其高可靠性和低功耗特性也使其适用于工业控制系统、通信设备和消费类电子产品中的关键开关电路。
FDV301N, 2N7002, BSS138, 2N3904
