您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FDU6296

FDU6296 发布时间 时间:2025/6/21 5:02:21 查看 阅读:9

FDU6296 是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够在高频应用中提供高效的性能表现。
  其封装形式通常为TO-220,这使得它能够承受较高的电流负载,并具备良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:14A
  导通电阻(典型值):55mΩ
  总功耗:125W
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

FDU6296 的主要特性包括:
  1. 低导通电阻:典型值为55mΩ,有效降低了传导损耗。
  2. 高速开关能力:具有快速的开启和关闭时间,减少开关损耗。
  3. 强大的电流承载能力:连续漏极电流可达14A,满足高功率应用场景的需求。
  4. 良好的热性能:采用TO-220封装,有助于提高散热效率。
  5. 稳定性高:在宽温度范围内保持稳定的电气性能。

应用

FDU6296 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或降压/升压电路。
  3. 电机驱动及控制电路。
  4. 各类工业电子设备中的负载切换控制。
  5. 电池保护及充电管理电路。

替代型号

IRFZ44N
  STP14NF06
  FDP5570

FDU6296推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FDU6296资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载
  • FDU6296
  • 30V N-Channel Fast Switching PowerTr...
  • FAIRCHILD
  • 阅览

FDU6296参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.8 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs31.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1440pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.6W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件