类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：15 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：20 V
　　最大功耗（Ptot）：100 mW
　　最大工作频率（fT）：8 GHz
　　封装类型：SOT-343
　　增益（hFE）：典型值 60-300，随工作电流变化
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

FDT86113LZFAI 拥有出色的射频性能，特别适用于高频放大器和混频器等射频电路。其最大频率响应（fT）达到 8 GHz，使其在 2.4 GHz ISM 频段、Wi-Fi、蓝牙以及其他无线通信系统中表现优异。此外，该器件采用 SOT-343 小型封装，具有良好的热稳定性和空间节省特性，适用于紧凑型设计。
　　其 hFE（电流增益）随集电极电流变化而变化，但通常在低电流下具有较高的增益，这使得它非常适合用于低噪声前置放大器的设计。此外，该晶体管的基极-发射极结具有较低的结电容，有助于提高其在高频下的性能，同时降低信号失真。
　　另一个显著特性是其良好的线性度和低失真特性，这在射频放大器中尤为重要。FDT86113LZFAI 还具有较低的噪声系数，使其成为低噪声放大器（LNA）应用中的理想选择。此外，该晶体管具有较高的稳定性，能够在宽频率范围内保持一致的性能。

FDT86113LZFAI 常用于无线通信设备中的射频前端电路，如低噪声放大器（LNA）、射频混频器、中继放大器以及本地振荡器（LO）缓冲放大器等。它在 2.4 GHz Wi-Fi、蓝牙、Zigbee、GPS 接收器和其他短距离无线通信系统中广泛使用。此外，它也适用于测试设备、射频识别（RFID）系统、无线传感器网络和便携式通信设备。
　　由于其高频特性和低功耗设计，FDT86113LZFAI 也常被用于无线基站、移动电话和便携式无线电设备中的射频信号放大和处理。该晶体管还可用于射频开关、衰减器控制电路以及射频功率控制模块，为系统提供稳定可靠的信号路径。

BFQ69, BFP740, BFR93A, BFU520