时间：2025/7/7 15:46:12
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FDT86106LZ 是一款高性能的 N 沟能量 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），适用于多种电源管理应用。该器件采用先进的制造工艺，提供低导通电阻和快速开关性能，使其成为高效能开关电路的理想选择。其封装形式为 LFPAK56 (Power-SO8)，具有出色的散热性能和紧凑的设计。
型号：FDT86106LZ
类型：N 沟能量 MOSFET
封装：LFPAK56 (Power-SO8)
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：49A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ (典型值，在 Vgs=10V 时)
总栅极电荷(Qg)：45nC
输入电容(Ciss)：2400pF
反向传输电容(Crss)：180pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
FDT86106LZ 提供了非常低的导通电阻 Rds(on)，能够显著降低传导损耗，从而提高系统效率。此外，该器件的快速开关性能减少了开关损耗，非常适合高频开关应用。其高雪崩能力和坚固的设计确保了在恶劣条件下的可靠性。
FDT86106LZ 的 LFPAK56 封装提供了卓越的热性能和电气性能，适合表面贴装技术(SMT)，简化了 PCB 设计并提高了生产效率。同时，它还支持汽车级应用，满足 AEC-Q101 标准要求。
这款 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关、电池管理系统以及各种工业和消费类电子产品中的功率转换电路。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为需要高效功率传递场合的理想选择。
特别地，由于其高耐温范围和稳健设计，FDT86106LZ 在汽车电子领域也有广泛应用，如电动助力转向系统、空调压缩机控制、LED 照明等场景。
FDMT86106LZ, FDS86106LZ
