FDT439N是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺设计,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适用于各种功率转换和开关应用。FDT439N广泛用于消费电子、工业设备及通信领域,可有效提高系统的效率和可靠性。
FDT439N采用TO-220封装形式,这种封装具备良好的散热性能,使其能够承受较高的电流负载。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:16A
导通电阻:17mΩ
栅极电荷:48nC
开关时间:开启延迟时间15ns,上升时间12ns,关断延迟时间30ns,下降时间18ns
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
FDT439N具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,确保了在大电流下的高效表现。
2. 高速开关能力,适合高频功率转换应用。
3. 栅极驱动要求低,易于与控制器集成。
4. 良好的热稳定性和耐雪崩能力,提高了系统的可靠性。
5. 符合RoHS标准,环保且无铅。
FDT439N适用于多种场景,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 逆变器和DC-DC转换器中的功率转换。
4. 电池管理系统的充放电控制。
5. 各种工业自动化设备中的负载开关。
FDP5800
IRFZ44N
STP16NF06L