您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FDT439N

FDT439N 发布时间 时间:2025/7/4 6:35:58 查看 阅读:23

FDT439N是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺设计,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适用于各种功率转换和开关应用。FDT439N广泛用于消费电子、工业设备及通信领域,可有效提高系统的效率和可靠性。
  FDT439N采用TO-220封装形式,这种封装具备良好的散热性能,使其能够承受较高的电流负载。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:16A
  导通电阻:17mΩ
  栅极电荷:48nC
  开关时间:开启延迟时间15ns,上升时间12ns,关断延迟时间30ns,下降时间18ns
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

FDT439N具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,确保了在大电流下的高效表现。
  2. 高速开关能力,适合高频功率转换应用。
  3. 栅极驱动要求低,易于与控制器集成。
  4. 良好的热稳定性和耐雪崩能力,提高了系统的可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅。

应用

FDT439N适用于多种场景,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 逆变器和DC-DC转换器中的功率转换。
  4. 电池管理系统的充放电控制。
  5. 各种工业自动化设备中的负载开关。

替代型号

FDP5800
  IRFZ44N
  STP16NF06L

FDT439N推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FDT439N资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载
  • FDT439N
  • N-Channel 2.5V Specified Enhancement...
  • FAIRCHILD
  • 阅览
  • FDT439N
  • N-Channel 2.5V Specified Enhancement...
  • FAIRCHILD&nbs...
  • 阅览

FDT439N参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 6.3A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds500pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDT439N-ND