时间：2025/12/23 21:09:44
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FDT1600N10A 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高能效等特点，适用于各种功率转换和负载开关应用。其额定电压为 100V，能够满足中高压应用场景的需求。
FDT1600N10A 的封装形式为 TO-220，这种封装具备良好的散热性能，适合在较高功率条件下工作。由于其出色的电气特性和可靠性，这款 MOSFET 广泛用于电源管理、电机驱动以及工业电子设备等领域。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：16A
导通电阻：75mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：48nC（典型值）
开关时间：开启延迟时间 39ns，关断下降时间 15ns
结温范围：-55℃ 至 +150℃
功耗：21W（在 Ta=25℃ 时）
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输，并减少了器件自身的发热。
2. 快速的开关速度降低了开关损耗，提升了系统的整体效率。
3. 具有较高的雪崩耐量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. TO-220 封装提供了优异的散热性能，有助于延长器件寿命。
5. 稳定的工作特性和较宽的温度范围使其适应多种严苛环境。
FDT1600N10A 主要应用于需要高效功率转换和开关操作的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关元件。
2. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
3. 工业电机驱动电路中的功率输出级。
4. 各类 DC-DC 转换器和逆变器设计。
5. 电信设备及消费类电子产品的电源模块。
6. LED 驱动器和其他照明控制系统中的功率控制元件。
FQP16N10, IRFZ44N, STP16NF06
