时间：2025/12/23 22:51:33
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FDS9953A-NL 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管 (MOSFET)，采用小型化的 SOT-23-3 封装，适用于低电压、低功耗应用场合。该器件具有极低的导通电阻和快速开关特性，能够在高频工作条件下提供高效的功率转换性能。
FDS9953A-NL 适合用于电池供电设备中的负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动以及便携式电子设备中的各种电源管理应用。其高可靠性与稳定性使其成为现代电子产品设计的理想选择。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.4A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
栅极电荷：4nC（典型值）
输入电容：150pF（典型值）
总功耗：400mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻，可有效减少功率损耗并提升效率。
2. 快速开关速度，支持高频工作条件下的高效功率转换。
3. 高可靠性，能够承受恶劣的工作环境。
4. 小型化封装，节省电路板空间，非常适合紧凑型设计。
5. 支持多种保护机制，包括过温保护和短路保护，确保系统运行的安全性。
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 便携式设备中的 DC-DC 转换器。
3. 低功耗电机驱动。
4. 电池管理系统中的保护开关。
5. 各种消费类电子产品的电源管理模块。
6. LED 照明驱动电路。
FDS9953B-NL, FDS9953C-NL
