时间：2025/5/10 16:29:55
阅读：10
FDS9945是一种N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点。这种器件适用于各种高效能的开关应用场合，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电源管理等。该器件采用TO-220封装形式，便于散热和安装。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：38A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：77nC
开关时间：开启延迟时间11ns，上升时间16ns，关断延迟时间19ns，下降时间15ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
FDS9945具有非常低的导通电阻，这使得它在大电流应用中能够减少功率损耗。
该器件还具备快速的开关速度，可以有效降低开关损耗。
FDS9945采用了坚固的设计，能够在高温环境下保持稳定的性能。
其栅极驱动要求较低，可与多种控制器配合使用。
此外，该器件具有良好的雪崩能力和抗静电能力，提高了系统的可靠性。
FDS9945广泛应用于计算机和服务器电源、通信设备、工业自动化控制、消费类电子产品等领域。
具体应用包括但不限于：
1. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件；
2. 开关模式电源中的功率开关；
3. 电机驱动电路中的功率级元件；
4. 各种负载开关和保护电路；
5. 充电器和适配器中的关键功率元件。
IRFZ44N
STP30NF10
IXTH40N10L2
