FDS9936-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,由 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor)生产。该器件采用 SO-8 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理应用,如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。其额定电压为 60V,典型导通电阻低至 25mΩ(在 Vgs=10V 时),能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
该 MOSFET 具有出色的热性能和电气性能,能够在高频工作条件下提供高效的开关表现。此外,它还支持较低的栅极电荷,有助于降低驱动损耗,并适合对效率和空间要求较高的设计。
型号:FDS9936-NL
封装:SO-8
Vds(漏源极击穿电压):60V
Rds(on)(导通电阻,典型值,Vgs=10V):25mΩ
Id(持续漏极电流):17A
Qg(总栅极电荷):10nC
Vgs(th)(栅源开启电压):2.0V~4.0V
fT(特征频率):2.5MHz
Tj(结温范围):-55℃~175℃
FDS9936-NL 的主要特性包括:
1. 低导通电阻:Rds(on) 在 Vgs=10V 时仅为 25mΩ,可显著降低传导损耗。
2. 高电流能力:支持高达 17A 的连续漏极电流 Id,适用于大功率应用。
3. 快速开关性能:总栅极电荷 Qg 仅为 10nC,有助于实现高效高频开关。
4. 宽工作温度范围:可在 -55℃ 至 +175℃ 的结温范围内稳定运行。
5. 小巧封装:SO-8 封装节省空间,适合紧凑型设计。
6. 热稳定性强:具备良好的散热性能,确保在高功率条件下的可靠性。
7. 符合 RoHS 标准:满足环保法规要求,适用于现代绿色电子产品设计。
FDS9936-NL 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率转换。
2. 便携式设备中的负载开关和电池管理。
3. 电机驱动和控制电路中的功率级开关。
4. 工业自动化设备中的电源管理和信号调节。
5. 通信设备中的高效功率分配。
6. 汽车电子系统中的辅助功能控制和保护开关。
由于其低导通电阻和高效率,FDS9936-NL 特别适合需要频繁开关和高效能量传输的应用场景。
FDS9935, FDS9937, IRF7832, SI4463DY