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FDS9926A 发布时间 时间:2025/5/7 16:39:37 查看 阅读:26

FDS9926A 是一款高性能的 N 沯道增强型功率场效应晶体管 (MOSFET),专为高频开关和功率管理应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,适用于多种电子电路中需要高效能和高可靠性的场合。
  FDS9926A 的封装形式通常为 SO-8 或 DPAK,其出色的电气特性使其成为许多功率转换器、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:14.8A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:10nC
  总电容:280pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

FDS9926A 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型工作条件下仅为 3.5mΩ,有助于降低功耗并提升效率。
  2. 快速开关性能,得益于其较小的栅极电荷和优化的设计结构,适合高频应用。
  3. 高度可靠的热性能,能够在较高的结温下稳定运行,延长使用寿命。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  5. 强大的过流保护能力,能够承受短时间内的高电流冲击,增强了器件的鲁棒性。

应用

FDS9926A 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器和降压/升压转换器。
  2. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机 (BLDC) 和步进电机。
  3. 工业自动化设备中的负载切换和功率管理。
  4. 汽车电子系统,例如电动助力转向 (EPS) 和电池管理系统 (BMS)。
  5. 可再生能源解决方案,如太阳能逆变器和风力发电控制器。

替代型号

FDS9927A, FDS9928A, IRFZ44N

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FDS9926A参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 6.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds650pF @ 10V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS9926ATR