FDS9926A 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的双 N 沟道功率 MOSFET 集成电路,广泛应用于负载开关、电源管理以及电池供电设备中。该 IC 采用先进的工艺制造,具备低导通电阻、高效率和高集成度的特点。FDS9926A 内部集成了两个独立的 N 沟道 MOSFET,可同时控制两个负载,适用于需要高效能、小尺寸功率开关的多种应用场合。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(VDS):30V
连续漏极电流(ID):5.9A(在 VGS = 4.5V)
导通电阻(RDS(on)):28mΩ(典型值,VGS = 4.5V)
栅极电荷(Qg):13nC(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TSSOP(8 引脚)
FDS9926A 具备多项优良特性,首先其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件的高集成度设计使得在有限空间内实现多个功率开关功能成为可能,有助于减小 PCB 面积并简化电路设计。此外,FDS9926A 支持快速开关操作,具备较低的开关损耗,适用于高频应用场合。
该 IC 还具有良好的热稳定性和高可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。其栅极驱动电压范围较宽(通常为 2.5V 至 20V),适用于多种控制器和逻辑电平驱动器。FDS9926A 在设计上优化了电磁干扰(EMI)性能,有助于降低系统噪声并提升整体性能。
FDS9926A 广泛应用于多种电子设备中,包括笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备中的负载开关和电源管理模块。它也适用于工业控制系统、电机驱动、DC-DC 转换器、电池充电器以及各类需要高效功率开关的场合。由于其高效率和小尺寸特性,FDS9926A 在对空间和功耗敏感的应用中表现尤为出色。
Si2302DS, FDS6675, FDS6679, FDMS86180