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FDS9431A 发布时间 时间:2025/6/29 0:18:30 查看 阅读:7

FDS9431A是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于多种功率转换应用。其封装形式通常为SOT-23,适合表面贴装技术(SMT),从而满足小型化和高效能设计需求。
  FDS9431A的主要用途是作为功率开关或负载开关,在便携式电子设备、电源管理电路以及信号切换中表现优异。通过优化的结构设计,该器件能够在高频条件下保持高效的性能。

参数

最大漏源电压:20V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:470mA
  导通电阻:0.75Ω(在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:1.6nC
  总功耗:340mW
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

FDS9431A具备低导通电阻特性,这有助于降低功率损耗并提高系统效率。同时,其小尺寸SOT-23封装非常适合空间受限的应用场景。此外,该器件的快速开关能力使其成为高频开关电源的理想选择。
  该MOSFET还具有较高的抗静电能力(ESD保护等级超过2kV),能够有效防止因静电放电引起的损坏。其稳定的工作特性和宽泛的温度适应范围也确保了其在各种环境下的可靠运行。

应用

FDS9431A广泛应用于消费类电子产品中的电源管理模块,例如手机充电器、平板电脑适配器以及笔记本电脑等便携式设备的电池管理系统。
  此外,它也可用于电信设备、工业控制电路及汽车电子系统中的负载开关、DC-DC转换器和电机驱动电路。由于其低功耗和高效率特点,FDS9431A特别适合需要长时间工作的便携式和电池供电设备。

替代型号

FDS9432A, FDS9433A

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FDS9431A参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫欧 @ 3.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds405pF @ 10V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS9431A-ND