时间：2025/5/9 14:47:41
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FDS8984是一种N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的制造工艺设计，具有低导通电阻和快速开关特性。这种器件非常适合需要高效能和高可靠性的应用场合。它广泛应用于计算机、消费类电子、通信设备以及工业控制等领域。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：5.3A
导通电阻：12mΩ
栅极电荷：7nC
开关速度：非常快
工作温度范围：-55℃ to 150℃
FDS8984具备非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体效率。
其快速的开关速度使其在高频应用中表现优异。
该器件还拥有出色的热稳定性和可靠性，能够在严苛的工作条件下长时间运行。
FDS8984采用了小型封装技术，节省了电路板空间，并简化了系统设计。
此外，它的低输入电容使得驱动更加容易，进一步降低了功耗。
FDS8984适用于多种应用领域，包括但不限于直流-直流转换器、负载开关、电池保护电路、电机驱动以及LED驱动器等。
在电源管理方面，该器件可以作为同步整流器使用，提供高效的能量转换。
它还可以用于便携式设备中的功率管理模块，以延长电池寿命。
由于其低导通电阻和高效率，FDS8984也适合用作开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
FDS8950
FDP5502
IRF7413
