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FDS8958A 发布时间 时间:2024/7/2 14:54:11 查看 阅读:294

FDS8958A是一种高性能功率MOSFET,由Fairchild半导体公司生产。它适用于直流-直流转换器、电源管理和其他高性能应用中。
  FDS8958A采用N沟道MOSFET技术,具有低导通电阻和高开关速度等优点。该器件的导通电阻仅为11.5毫欧姆,能够提供高效率的功率转换。同时,它的开关速度快,响应时间短,能够实现高频应用。
  FDS8958A采用了Fairchild公司的PowerTrench? MOSFET工艺,该工艺采用了先进的制造技术,能够实现更高的功率密度和更低的导通电阻。此外,该器件还采用了Fairchild公司的SyncFET技术,能够实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
  FDS8958A采用了SO-8封装,符合RoHS标准,可以在-55℃至150℃的温度范围内正常工作。该器件广泛应用于电梯控制器、电源管理、LED照明和汽车电子等领域。

参数和指标

额定电压:30V
  静态漏电流:1μA
  导通电阻:11.5mΩ
  阈值电压:1.5V
  最大漏极电流:3.7A
  最大功率耗散:2.5W
  尺寸:5mm x 6mm
  封装:SO-8

组成结构

FDS8958A由多个N沟道MOSFET晶体管组成,具有四个电极:源极、漏极、栅极和反栅极。其中,源极和漏极是MOSFET的输出端,栅极和反栅极是输入端。

工作原理

FDS8958A的工作原理是基于MOSFET的工作原理。MOSFET是一种场效应管,其工作原理是通过栅极电压控制源漏电流的大小。当栅极电压高于阈值电压时,MOSFET导通;当栅极电压低于阈值电压时,MOSFET截止。
  在FDS8958A中,当栅极电压高于阈值电压时,源极和漏极之间形成一个低阻抗通路,电流可以从源极流入漏极。此时,MOSFET处于导通状态。当栅极电压低于阈值电压时,源漏电流很小,MOSFET处于截止状态。

技术要点

1 、PowerTrench? MOSFET工艺
  FDS8958A采用了Fairchild公司的PowerTrench? MOSFET工艺,该工艺采用了先进的制造技术,能够实现更高的功率密度和更低的导通电阻。PowerTrench? MOSFET工艺具有以下特点:
  采用低电阻材料:通过采用低电阻材料,可以实现更低的导通电阻。
  采用浅掺杂技术:通过浅掺杂技术,可以减小导通电阻和开关损耗。
  采用多层金属结构:通过采用多层金属结构,可以实现更高的功率密度和更低的导通电阻。
  2、 SyncFET技术
  FDS8958A还采用了Fairchild公司的SyncFET技术,能够实现更快的开关速度和更低的开关损耗。SyncFET技术的原理是通过两个MOSFET晶体管的互补动作,实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
  在SyncFET技术中,一个MOSFET晶体管负责控制电流流动的正半周期,另一个MOSFET晶体管负责控制电流流动的负半周期。通过两个MOSFET晶体管的互补动作,可以实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
  3 、防静电能力
  FDS8958A具有良好的防静电能力,能够抵御静电放电和电场击穿等现象。这是通过采用特殊的设计和材料,以及良好的封装技术实现的。

设计流程

在使用FDS8958A进行设计时,需要遵循以下流程:
  1、选型
  首先需要根据设计要求和系统参数,选定合适的FDS8958A。选型时需要考虑器件的电气参数、尺寸和封装、价格等因素。
  2、电路设计
  根据设计要求,设计合适的电路。电路设计需要考虑电路拓扑、电压范围、电流要求等因素。需要注意电路的稳定性和可靠性。
  3、PCB设计
  根据电路设计,进行PCB设计。需要考虑PCB的布局、走线、电磁兼容等因素。需要注意PCB的布局要合理,走线要短,电磁兼容要良好。
  4、原理验证
  完成PCB设计后,进行原理验证。需要进行电路仿真和实验验证,检查电路的性能和稳定性。需要注意验证结果的准确性和可靠性。
  5、生产和测试
  完成原理验证后,进行批量生产和测试。需要进行器件的测试和筛选,确保器件的性能和可靠性。需要注意生产和测试的质量控制。

常见故障及预防措施

1 、电压过高或过低
  当电压过高或过低时,会导致器件损坏。为了避免这种情况发生,需要合理选择电源电压,并采取过压保护和欠压保护措施。
  2 、温度过高
  当温度过高时,会导致器件损坏。为了避免这种情况发生,需要采取散热措施,如加装散热片或风扇等。
  3 、过流或短路
  当电流过大或短路时,会导致器件损坏。为了避免这种情况发生,需要采取过流保护和短路保护措施。
  4、 静电放电
  静电放电会导致器件损坏。为了避免静电放电,需要采取防静电措施,如接地、防静电手环等。
  5 、焊接不良
  焊接不良会导致器件损坏。为了避免焊接不良,需要采取良好的焊接技术,如合适的焊接温度和时间、合适的焊接方法等。

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FDS8958A参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7A,5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds575pF @ 15V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS8958ATRFDS8958A_NL