时间：2025/5/22 23:09:28
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FDS8876-NL是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效开关和低导通损耗的应用中。该器件采用了先进的半导体制造工艺，确保了其在高电流和高频应用中的卓越性能。FDS8876-NL具有非常低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低功率损耗，并提供出色的热稳定性和可靠性。
该MOSFET适用于各类电源管理场景，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等。此外，其小型化的封装设计使得它非常适合于对空间有严格要求的便携式电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：30V
最大连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：2.4mΩ(典型值，在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg)：9nC
总功耗(Ptot)：22W
工作温度范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263-3/SOT-89
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少导通损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达15A的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷(Qg)，适合高频应用。
4. 良好的热稳定性，最高结温可达175℃，能够在严苛环境下长期运行。
5. 小型化表面贴装封装(SOT-89)，节省PCB空间。
6. 提供优异的电磁兼容性(EMC)表现，降低干扰风险。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关模式电源(SMPS)及DC-DC转换器中的功率开关。
2. 各类负载开关和保护电路。
3. 电池管理系统的充放电控制。
4. 消费类电子产品中的电机驱动和控制。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
6. LED驱动器和背光控制模块。
7. 其他需要高效功率转换和低功耗的应用场景。
FDP8876NL, FDS8876, IXTT88N30L
