类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：16mΩ @ Vgs=4.5V, 12mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：8-SOIC

FDS8876-NL 具有多个关键特性，使其在功率管理应用中表现出色。
　　首先，该器件具有非常低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=4.5V 时为 16mΩ，在 Vgs=10V 时降低至 12mΩ，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。
　　其次，FDS8876-NL 支持高达 8A 的连续漏极电流，适用于中高功率应用，如 DC-DC 转换器和同步整流器。其高电流能力结合低导通电阻，使得该器件在高频开关应用中表现优异。
　　此外，该 MOSFET 采用先进的沟槽式工艺技术，提高了器件的热稳定性和可靠性，适用于高密度电源设计。其 8-SOIC 封装具有良好的热管理能力，有助于提高系统的稳定性和寿命。
　　最后，FDS8876-NL 具有宽泛的栅极电压容限（±20V），提高了其在各种驱动电路中的兼容性和稳定性。同时，该器件符合 RoHS 标准，适用于环保和绿色电子产品设计。

FDS8876-NL 适用于多种电源管理与功率控制场景。
　　在 DC-DC 转换器中，该器件可用于同步整流或主开关，提供高效率和低损耗的功率转换解决方案，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源系统。
　　在负载开关应用中，FDS8876-NL 可用于控制电源分配，实现对不同负载的快速、安全切换，适用于便携式电子设备和工业控制系统。
　　此外，该 MOSFET 还可用于电机控制、电池管理系统（BMS）和电源管理 IC（PMIC）中的功率开关部分，提供可靠和高效的电流控制能力。
　　在服务器和网络设备中，FDS8876-NL 可用于多相电源设计，支持高电流、低电压的处理器供电需求，提升整体电源效率和稳定性。

Si9410BDY-T1-GE3, FDS6680, AO4406A, IRF7413, FDS8856