时间：2025/8/24 20:02:44
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FDS8817 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的高性能双通道 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的 PowerTrench? 技术，适用于高效率的电源管理系统和负载开关应用。该器件封装为 8 引脚 SOIC，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能，广泛应用于笔记本电脑、服务器、电池管理系统以及 DC-DC 转换器等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
配置：双通道
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：12A
导通电阻（RDS(on)）：9.5mΩ @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：8-SOIC
FDS8817 具备多项优异特性，包括采用 PowerTrench? 技术以实现极低导通电阻，从而降低功率损耗并提高系统效率。其双通道结构允许在同一封装中集成两个独立的 MOSFET，节省 PCB 空间并提高设计灵活性。该器件的高电流能力（每个通道可达 12A）使其适用于高功率密度设计。此外，FDS8817 还具备良好的热稳定性，采用 SOIC 封装具备较好的散热性能，在连续工作条件下仍能保持稳定。栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容多种控制电路。内置的 ESD 保护功能增强了器件在复杂电磁环境中的可靠性。
FDS8817 的低 RDS(on) 特性显著减少了导通状态下的功率损耗，适用于电池供电设备中的电源管理模块。其双通道结构也可用于 H 桥驱动或负载开关控制。该器件的高可靠性使其在工业控制、通信设备和汽车电子系统中得到广泛应用。
FDS8817 主要用于需要高效功率控制和空间紧凑设计的应用场景。典型应用包括笔记本电脑和服务器的电源管理系统、电池充放电控制器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路以及高效率的同步整流器。此外，FDS8817 也适用于各类便携式电子设备中的电源管理模块，以及工业自动化控制系统中的功率开关电路。其优异的导通性能和热管理能力使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。
Si7153DP-T1-GE3, NVTFS5C471NLWFTAG, FDS6680AS
