时间：2025/5/14 19:19:54
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FDS8672S是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor的一部分）生产。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种功率转换和负载开关应用。其小型封装设计使其非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：3.1A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷：9nC
总电容：390pF
功耗：1.8W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
FDS8672S具有低导通电阻，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
该器件还具备快速开关性能，可以减少开关损耗，非常适合高频应用。
其小尺寸封装（如SO-8封装）使其适合于便携式设备和其他空间受限的设计。
FDS8672S还具备出色的热稳定性和可靠性，能够在宽广的工作温度范围内保持性能。
FDS8672S广泛应用于消费电子、工业控制和通信领域。常见的应用场景包括：
DC-DC转换器中的功率开关
负载开关和电源管理电路
电机驱动和继电器驱动
电池保护和充电电路
音频放大器和信号切换
便携式设备中的电源管理模块
FDP8672S
IRLML6244
AOD516
AO3400
