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FDS7788-NL 发布时间 时间:2025/5/22 0:08:19 查看 阅读:5

FDS7788-NL 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)推出的高性能 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 SuperFET II 技术,具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高能效的特点,非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。其封装形式为 SO-8,能够有效提升功率密度并降低系统功耗。
  FDS7788-NL 的设计目标是满足高效能和小型化的需求,适用于消费电子、工业设备以及通信领域的多种应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:34A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,10V Vgs)
  栅极电荷:49nC(典型值)
  输入电容:2130pF(典型值)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:SO-8

特性

FDS7788-NL 提供了卓越的电气性能,其主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可显著降低传导损耗并提高效率。
  2. 快速开关速度,有助于减少开关损耗,适合高频应用。
  3. 高电流承载能力,支持大功率输出。
  4. 内置 ESD 保护功能,增强了器件的可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
  6. 支持宽广的工作温度范围,适应各种严苛环境条件。
  这些特点使得 FDS7788-NL 成为高效功率转换的理想选择。

应用

这款 MOSFET 主要应用于以下场景:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流器。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 工业自动化及家电产品中的负载切换。
  5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电路径管理。
  FDS7788-NL 凭借其优异的性能表现,在需要高效功率传输和快速动态响应的应用中表现出色。

替代型号

FDP5800, IRF7739, AO3400A

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