时间：2025/6/25 21:15:38
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FDS7779Z 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效功率转换的理想选择。
这款 MOSFET 的设计旨在提供高性能表现，同时保持较高的可靠性和稳定性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：13A
导通电阻（典型值）：5.5mΩ
栅极电荷：10nC
输入电容：1300pF
反向传输电容：150pF
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
FDS7779Z 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 4.5V 栅极驱动时为 5.5mΩ，从而减少了传导损耗。
2. 快速开关性能，具有较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗。
3. 高电流处理能力，支持高达 13A 的连续漏极电流。
4. 紧凑的 SO-8 封装，适合空间受限的应用场景。
5. 宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 150℃），适应各种恶劣环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
FDS7779Z 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，包括适配器和充电器。
2. DC-DC 转换器，用于汽车电子和工业设备。
3. 电机驱动和控制，如无刷直流电机 (BLDC) 驱动。
4. 电池管理系统的充放电控制。
5. 各种需要高效功率切换的消费类电子产品。
其卓越的电气特性和可靠性使得 FDS7779Z 成为众多功率转换应用的理想选择。
FDP5577,
FDS5577,
IRLZ24N
