时间：2025/5/22 0:07:07
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FDS7766S-NL 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高效率的开关应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等电路中。
该 MOSFET 的封装形式为 DPAK（TO-252），具有良好的散热性能，同时其出色的电气特性使其能够在高频条件下高效运行。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：13A
导通电阻：18mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：29nC（典型值）
输入电容：1440pF（典型值）
总功耗：24W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
FDS7766S-NL 提供了多种优异的特性，使其成为许多高要求应用的理想选择。这些特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高整体系统效率。
2. 快速的开关速度和低栅极电荷，减少开关损耗，特别适合高频开关应用。
3. 较高的雪崩击穿能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 小巧的 DPAK 封装，能够有效地进行热管理。
5. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
FDS7766S-NL 被广泛应用于多个领域，主要包括：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 直流-直流转换器，如降压或升压转换器。
3. 各种消费类电子设备中的负载开关。
4. 电机驱动和控制电路。
5. 电池保护和管理系统。
6. 其他需要高效功率开关的应用场景。
FDS7766S
FDP7766S
IRLR7843
