类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V（最大）
　　连续漏极电流（ID）：11A（在Tamb=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：44A
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（典型值，VGS=10V）
　　输入电容（Ciss）：640pF（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装：DPAK（TO-252）

FDS7088N-NL具备多项优异性能，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率，特别适用于高电流应用。该MOSFET采用先进的Trench沟槽工艺技术，使得器件在相同电压和电流等级下具有更高的性能和更小的芯片尺寸，从而提升了功率密度。
　　其次，FDS7088N-NL支持较高的栅源电压（最高20V），增强了栅极驱动的灵活性，并确保在不同驱动条件下都能实现良好的导通状态。此外，该器件的连续漏极电流可达11A，脉冲漏极电流更可高达44A，展现出良好的短时过载能力，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制等高要求应用。
　　其DPAK（TO-252）封装具备良好的热管理和机械稳定性，便于在PCB上安装和散热，适用于表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。FDS7088N-NL还具有较宽的工作温度范围（-55°C至150°C），适应各种恶劣工作环境。

FDS7088N-NL适用于多种功率电子系统，包括但不限于以下应用领域：
　　1. **电源管理**：用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关等电源管理模块中，提高能量转换效率。
　　2. **电机控制**：在电机驱动电路中作为高边或低边开关使用，支持高效PWM控制。
　　3. **电池管理系统**：用于电池充放电控制电路，实现高效的能量管理与保护功能。
　　4. **工业自动化**：作为功率开关用于PLC（可编程逻辑控制器）、工业电源、继电器替代等场合。
　　5. **汽车电子**：适用于车载电源系统、车身控制模块（BCM）、LED照明驱动等汽车应用，满足汽车电子对可靠性和耐环境能力的高要求。

Si4410BDY, IRF7413, FDS8858, FDMS8878