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FDS6982S 发布时间 时间:2025/6/3 18:41:44 查看 阅读:4

FDS6982S是一款N沟道增强型MOSFET,采用SO-8封装形式。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特性,适用于各种开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场合。
  此MOSFET的设计优化了其在高频工作环境下的性能表现,能够有效降低功耗并提升整体系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.8mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  栅极电荷:45nC(典型值)
  输入电容:1000pF(典型值)
  总功率耗散:37W(θJA=62°C/W时)
  工作结温范围:-55°C至+150°C

特性

1. 极低的导通电阻确保了高效能表现,尤其在大电流应用中。
  2. 快速开关速度减少了开关损耗,适合高频电路设计。
  3. 高雪崩能量能力增强了器件在异常情况下的可靠性。
  4. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业要求。
  5. 紧凑的SO-8封装便于PCB布局与散热管理。
  6. 在汽车电子、通信设备及消费类电子产品中有广泛应用。

应用

1. 开关电源中的同步整流。
  2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
  3. 电机驱动电路中的半桥或全桥配置。
  4. 负载开关以实现快速动态响应。
  5. 各种保护电路如过流保护和短路保护。
  6. 电池管理系统中的功率通断控制。
  7. 工业自动化设备中的功率调节与控制。

替代型号

IRF7775PBF
  STP36NF06L
  FDP5500
  INFINEON IPP060N06N4-L
  AO3400

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FDS6982S参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.3A,8.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 6.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2040pF @ 10V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)