时间：2025/6/3 18:41:44
阅读：28
FDS6982S是一款N沟道增强型MOSFET，采用SO-8封装形式。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特性，适用于各种开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场合。
此MOSFET的设计优化了其在高频工作环境下的性能表现，能够有效降低功耗并提升整体系统效率。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：30A
导通电阻：1.8mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：45nC（典型值）
输入电容：1000pF（典型值）
总功率耗散：37W（θJA=62°C/W时）
工作结温范围：-55°C至+150°C
1. 极低的导通电阻确保了高效能表现，尤其在大电流应用中。
2. 快速开关速度减少了开关损耗，适合高频电路设计。
3. 高雪崩能量能力增强了器件在异常情况下的可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。
5. 紧凑的SO-8封装便于PCB布局与散热管理。
6. 在汽车电子、通信设备及消费类电子产品中有广泛应用。
1. 开关电源中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的半桥或全桥配置。
4. 负载开关以实现快速动态响应。
5. 各种保护电路如过流保护和短路保护。
6. 电池管理系统中的功率通断控制。
7. 工业自动化设备中的功率调节与控制。
IRF7775PBF
STP36NF06L
FDP5500
INFINEON IPP060N06N4-L
AO3400
