时间：2025/5/23 21:59:16
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FDS6912-NL 是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN33-8封装形式。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，非常适合于要求高效能和小尺寸的应用场景。其额定电压为60V，广泛用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。
最大漏源电压(Vds)：60V
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.5V
连续漏极电流(Id)：7A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ
功耗(Pd)：2.2W
工作结温范围(Tj)：-55℃至150℃
封装形式：PDFN33-8
FDS6912-NL 具有非常低的导通电阻，这使得它在高效率电源转换应用中表现出色。同时，该器件的快速开关特性可以减少开关损耗，提高整体系统效率。
由于采用了先进的制造工艺，FDS6912-NL 可以提供稳定的性能和较高的可靠性。此外，PDFN33-8 封装具有良好的散热性能，能够满足紧凑型设计的需求。
此MOSFET还具备较强的抗静电能力(ESD)，有助于提升系统的鲁棒性。
FDS6912-NL 广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池管理以及LED驱动等电路中。它特别适合需要低导通损耗和高效率的场合，例如智能手机和平板电脑的充电器、笔记本电脑适配器、网络通信设备的电源模块等。
此外，在汽车电子领域，该MOSFET也可用作电池保护开关或小型电机控制器中的关键元件。
FDS6913-NL, FDN340P
