类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.1A（在25°C环境温度下）
　　最大导通电阻（Rds(on)）：23mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-223

FDS6910-Z采用高性能沟槽式MOSFET结构，能够在低电压应用中提供出色的导通性能。其低Rds(on)特性可以显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和较高的功率密度，能够在高温环境下可靠运行。SOT-223封装形式使其适用于空间受限的电路板设计，并具备良好的散热能力。FDS6910-Z还具有快速开关速度，适合高频应用，减少了开关损耗并提高了系统的响应速度。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，在4.5V至20V之间均可正常工作，使其适用于多种驱动电路。此外，其内置的体二极管具有较快的反向恢复时间，适用于需要频繁开关的应用场合，如DC-DC转换器和电机驱动电路。FDS6910-Z还具备较高的耐用性和稳定性，适用于工业控制、便携式设备和汽车电子等对可靠性要求较高的系统。

FDS6910-Z常用于电源管理系统、DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、负载开关、电池充电管理、马达控制、LED驱动器以及各种低电压高效率的开关电源应用。由于其高可靠性和良好的热性能，该MOSFET也适用于车载电子设备、工业自动化控制模块以及智能家电等对性能和稳定性要求较高的场景。

Si2302DS、FDS6918、FDS6980、IRLML2402、AO3400