FDS6900AS是由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件主要应用于需要高效开关性能的电路中,例如电源管理、电机驱动和负载切换等领域。
这款MOSFET采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够在高频条件下保持优异的性能表现。其封装形式通常为SOT-23,适合于紧凑型设计。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:1.4A
导通电阻:120mΩ
栅极电荷:5nC
开关时间:典型值ton=17ns,toff=8ns
工作结温范围:-55℃至150℃
FDS6900AS具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少功率损耗并提升效率。
2. 快速开关能力,适用于高频开关应用。
3. 小巧的SOT-23封装节省了PCB空间,非常适合便携式设备。
4. 高可靠性与稳定性,能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
5. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的合规性要求。
FDS6900AS广泛应用于多种场景:
1. 开关电源中的同步整流器。
2. DC-DC转换器及负载开关。
3. 电池保护电路。
4. 便携式电子产品中的电源管理模块。
5. 各类小型化、高效率需求的消费类电子产品。
FDP6900, FDN6900