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FDS6900AS 发布时间 时间:2025/6/30 12:45:52 查看 阅读:5

FDS6900AS是由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件主要应用于需要高效开关性能的电路中,例如电源管理、电机驱动和负载切换等领域。
  这款MOSFET采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够在高频条件下保持优异的性能表现。其封装形式通常为SOT-23,适合于紧凑型设计。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:1.4A
  导通电阻:120mΩ
  栅极电荷:5nC
  开关时间:典型值ton=17ns,toff=8ns
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

FDS6900AS具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少功率损耗并提升效率。
  2. 快速开关能力,适用于高频开关应用。
  3. 小巧的SOT-23封装节省了PCB空间,非常适合便携式设备。
  4. 高可靠性与稳定性,能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的合规性要求。

应用

FDS6900AS广泛应用于多种场景:
  1. 开关电源中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器及负载开关。
  3. 电池保护电路。
  4. 便携式电子产品中的电源管理模块。
  5. 各类小型化、高效率需求的消费类电子产品。

替代型号

FDP6900, FDN6900

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FDS6900AS参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.9A,8.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C27 毫欧 @ 6.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds600pF @ 15V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)