时间：2025/12/23 11:28:34
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FDS6890-NL是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为Onsemi的一部分）制造。该器件采用SO-8封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理和功率转换应用。
其设计使得它能够提供高效的电流传输，并在各种电子设备中实现良好的性能表现。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：3.8A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：4nC
开关时间：典型值ton=10ns，toff=15ns
FDS6890-NL具备较低的导通电阻，从而减少传导损耗并提高效率。
该器件还具有快速的开关速度，这有助于降低开关损耗，使其非常适合高频应用。
此外，它的SO-8封装提供了良好的散热性能，同时兼容标准表面贴装工艺。
其稳健的设计确保了在严苛环境下的可靠运行，且具备较高的抗静电能力（ESD耐受性）。
FDS6890-NL还支持脉冲漏极电流高达11.4A，满足峰值负载需求。
这款MOSFET广泛应用于消费类电子产品、工业设备和通信系统中的多种场景。
常见应用包括直流-直流转换器、开关电源、电池管理电路以及电机驱动等。
由于其高效能和紧凑尺寸，FDS6890-NL也常用于便携式设备和空间受限的设计中。
此外，它还可用于负载切换、信号调节及保护电路等领域。
FDS6891, FDS6892, IRF7404
