时间：2025/5/8 18:33:15
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FDS6694-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SO-8 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于高频 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等应用领域。
它由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产，能够提供出色的效率和可靠性，适用于各种功率转换和电源管理场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：5.8A
导通电阻（典型值）：25mΩ
栅极电荷：7.5nC
开关速度：快速
封装形式：SO-8
FDS6694-NL 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频工作，适合现代高效电源设计。
3. 较小的封装尺寸，便于在空间受限的应用中使用。
4. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
5. 可靠性高，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 各种便携式电子设备中的负载开关。
3. 小型电机驱动和控制电路。
4. 电池保护和管理系统。
5. 其他需要低损耗和快速开关的功率管理场景。
FDS6695NL, FDMQ8205, BSS138
