时间：2025/7/16 11:37:27
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FDS6690AS是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于开关电源、电机驱动、负载切换等应用。其封装形式为SO-8，能够提供良好的散热性能和电气特性。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：17A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
栅极电荷(Qg)：35nC
总功耗(Ptot)：1.6W
工作温度范围(Tj)：-55°C至+150°C
FDS6690AS具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型工作条件下仅为4.5mΩ，有助于降低功率损耗。
2. 高电流处理能力，最大支持17A的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，栅极电荷较低，适合高频应用。
4. 小型SO-8封装，便于PCB布局设计并提供良好的散热性能。
5. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
FDS6690AS适用于多种电子电路设计场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. 直流电机驱动和控制电路。
3. 各类负载切换和保护电路。
4. LED照明系统的驱动与调节。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
6. 通信设备中的电源管理单元。
FDP6690, FDS6692, IRF7843
