FDS6680-NL 时间：2025/5/12 14:18:22 阅读：10

FDS6680-NL是一种N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的半导体工艺制造。该器件主要应用于需要高效能开关和低导通电阻的场景。其封装形式为TO-252(DPAK)，适合表面贴装技术(SMT)，具有良好的热性能和电气性能。
　　FDS6680-NL适用于广泛的工业、消费电子及通信设备领域，能够提供稳定的电流输出与快速的开关速度，同时保持较低的功耗。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：3.9A
　　导通电阻：40mΩ
　　栅极电荷：15nC
　　开关时间：典型值20ns
　　工作结温范围：-55℃至175℃

特性

FDS6680-NL采用了Fairchild（现为Onsemi）的先进功率MOSFET技术，具备以下特点：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，在典型工作条件下可以显著降低传导损耗。
　　2. 高速开关能力，能够支持高频应用，如开关电源、DC-DC转换器等。
　　3. 较小的封装体积，适合高密度电路板设计。
　　4. 良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内正常工作。
　　5. 优异的电气性能使其成为多种电力电子应用的理想选择。

应用

FDS6680-NL广泛用于以下应用场景：
　　1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
　　3. 电机驱动电路中的功率级开关。
　　4. 各种负载切换和保护电路。
　　5. 充电器和适配器中的功率管理部分。
　　6. 消费类电子产品中的小型化功率模块。