时间：2025/5/10 12:52:00
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FDS6679AZ 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 DPAK 封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于高频功率转换应用。其设计优化了功耗和散热性能，使其成为工业、消费电子以及通信设备中的理想选择。
型号：FDS6679AZ
封装：DPAK (TO-252)
最大漏源电压 Vds：60V
最大栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：13A
导通电阻 Rds(on)：25mΩ（典型值，Vgs=10V）
总栅极电荷 Qg：48nC（典型值）
输入电容 Ciss：1050pF（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FDS6679AZ 具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，可显著降低传导损耗和开关损耗。
它采用了先进的工艺技术，确保了出色的热性能和电气性能。
此外，该器件还具有快速开关能力，支持高频操作，并且具备良好的电磁兼容性表现。
FDS6679AZ 的稳健设计使其能够承受雪崩和浪涌电流，从而提高了系统的可靠性。
其紧凑的 DPAK 封装形式也便于安装和集成到各种电路板中。
FDS6679AZ 广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器以及其他需要高效功率管理的场合。
它可以用于笔记本电脑适配器、平板电视电源模块以及 LED 照明系统。
在工业领域，这款 MOSFET 适用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动工具等产品。
由于其优异的性能，FDS6679AZ 还能胜任汽车电子中的负载切换和电池管理任务。
FDS6678AZ, FDP5500, IRF540N
