FDS6679-NL 时间：2025/6/19 6:36:43 阅读：2

FDS6679-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SO-8 封装形式。该器件适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备的电源管理等。这款 MOSFET 具有较低的导通电阻和良好的开关性能，可显著减少功耗并提升系统效率。
　　其设计特点包括低栅极电荷、快速开关速度以及出色的热稳定性，这些特性使其成为多种电力电子应用的理想选择。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：12A
　　导通电阻（典型值）：25mΩ
　　栅极电荷（典型值）：4.5nC
　　总电容（输入电容）：380pF
　　结温范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：SO-8

特性

FDS6679-NL 的主要特性包括以下几点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗，提高整体效率。
　　2. 快速开关能力，得益于较小的栅极电荷，能够实现高频操作。
　　3. 高电流处理能力，支持高达 12A 的连续漏极电流。
　　4. 紧凑的 SO-8 封装，适合空间受限的设计。
　　5. 宽工作温度范围，适应各种环境条件。
　　6. 高可靠性与鲁棒性，满足严苛的工业标准要求。

应用

FDS6679-NL 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流电路。
　　2. 降压或升压 DC-DC 转换器。
　　3. 电池供电设备中的负载开关。
　　4. 各类电机驱动控制电路。
　　5. 通信设备中的电源管理模块。
　　6. 工业自动化和消费电子产品的高效功率转换解决方案。