FDS6675-NL 是一款N沟道增强型MOSFET,采用SO-8封装形式。这款MOSFET具有较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及其他功率管理应用中。其高效率和稳定性使其成为众多电源管理解决方案中的理想选择。
该器件的工作电压范围较广,能够承受高达60V的漏源极电压,同时具备出色的热性能和电气特性。这些特点使得FDS6675-NL在各类消费类电子、工业控制以及通信设备中得到广泛应用。
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):31A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):19nC
输入电容(Ciss):1180pF
总功耗(Ptot):29W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
FDS6675-NL 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关能力,支持高频操作,适用于多种开关模式电源(SMPS)应用。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 采用标准SO-8封装,便于设计和生产集成。
5. 工作温度范围宽,适应各种恶劣环境下的使用需求。
6. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子产品的要求。
FDS6675-NL 主要应用于以下领域:
1. DC-DC转换器中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路,用于控制小型直流或步进电机。
3. 各类负载开关,实现对不同负载的有效管理和保护。
4. 电池管理系统(BMS),用于锂电池保护和充放电控制。
5. 开关电源适配器及充电器。
6. 消费类电子产品的电源管理模块,例如笔记本电脑、平板电脑等。
7. 工业自动化设备中的功率控制单元。
FDS6670AN, FDS6671AN, FDP5500NL