时间：2025/12/23 11:28:27
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FDS5692Z-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的制造工艺以实现低导通电阻和高效率。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用中。其封装形式为 SO-8（小外形晶体管封装），具有良好的散热性能和紧凑的设计，适合各种空间受限的应用场景。
FDS5692Z-NL 的设计旨在提供高效的功率转换能力，并且具备出色的开关特性和可靠性。通过优化的沟槽结构和降低寄生电容，该器件能够在高频工作条件下保持较低的损耗。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：31A
导通电阻：2.8mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：47nC（典型值）
输入电容：1200pF（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装：SO-8
FDS5692Z-NL 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力，支持高达 31A 的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷和优化的内部结构。
4. 紧凑的 SO-8 封装设计，适用于空间受限的电路板布局。
5. 宽工作温度范围，确保在极端环境下的可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅焊接兼容。
这些特性使其成为高效功率转换和大电流应用的理想选择。
FDS5692Z-NL 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或其他类型电机。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
5. 各种工业设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的高效功率转换解决方案。
由于其卓越的电气性能和可靠性，这款 MOSFET 在众多功率电子应用中表现出色。
FDS5692P, FDP5692Z
