时间：2025/7/8 23:45:15
阅读：7
FDS4935BZ-NL&-38是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件采用SO-8封装，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景中，能够提供低导通电阻和快速开关性能，适合高效能设计需求。
该型号的MOSFET具有出色的电气特性，在消费电子、工业控制及汽车电子领域有着广泛应用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：17A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：17nC
开关时间：典型值ton=11ns，toff=18ns
结温范围：-55℃至175℃
FDS4935BZ-NL&-38具有低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少传导损耗并提高整体效率。此外，其快速的开关速度可以降低开关损耗，从而提升高频应用中的性能表现。
器件还具备优异的热稳定性和可靠性，能够承受较高的结温，适用于严苛的工作环境。同时，它拥有较小的封装尺寸，便于在紧凑型设计中使用。
该MOSFET适用于多种电力电子应用，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 汽车电子系统中的功率管理模块。
FDS4935BZ, FDP5800, IRF7758PBF
