时间：2025/5/9 12:20:18
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FDS4935A-NL是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。它具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够在高频开关条件下保持良好的性能。
该芯片由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor的一部分）设计生产，适用于需要高效能和低功耗的电力电子应用。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：15mΩ
栅极阈值电压：2V至4V
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-263
FDS4935A-NL具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻确保了高效的电流传导，降低了功率损耗。
2. 高速开关性能使得其非常适合于高频电路应用。
3. 较高的漏源电压额定值保证了在高电压环境下的可靠性。
4. 良好的热稳定性允许其在高温环境下长时间运行。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
这款MOSFET广泛用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统中的充放电控制开关。
FDS4935ANL, FDS4935A
