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FDS4672A 发布时间 时间:2025/7/1 1:22:01 查看 阅读:2

FDS4672A 是一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻和快速开关速度的特性。该器件采用TO-252封装形式,适合用于各种电源管理应用,包括DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
  由于其出色的电气性能,FDS4672A在功率转换和信号切换领域有着广泛的应用前景。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±12V
  连续漏极电流:4.3A
  导通电阻(典型值):85mΩ
  总栅极电荷:9nC
  输入电容:200pF
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

FDS4672A具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻确保高效的功率转换,减少能量损耗。
  2. 快速的开关特性能够满足高频操作需求。
  3. 小型化的TO-252封装节省PCB空间。
  4. 高可靠性和耐用性,适应工业及消费电子领域的多样化环境要求。
  5. 良好的热稳定性使其能够在较宽的工作温度范围内保持性能。

应用

FDS4672A适用于多种应用场景,例如:
  1. 开关电源中的同步整流电路。
  2. 笔记本电脑和移动设备的负载开关。
  3. DC-DC转换器设计。
  4. 电机驱动与控制电路。
  5. 各类便携式电子产品的电池管理模块。

替代型号

FDP5800, IRFZ44N

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FDS4672A参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13 毫欧 @ 11A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs49nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4766pF @ 20V
  • 功率 - 最大1.2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS4672A-NDFDS4672ATR