FDS4672-NL 时间：2025/8/25 7:39:56 阅读：18

FDS4672-NL是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的Trench沟槽工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于需要高效能和紧凑设计的电子系统。FDS4672-NL采用8引脚SOIC封装，符合RoHS环保标准，广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理单元和电池供电设备等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　最大连续漏极电流（Id）：5.7A
　　导通电阻（Rds(on)）：42mΩ @ Vgs=10V，62mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：8-SOIC

特性

FDS4672-NL具有多项优异的电气性能和可靠性特点。首先，其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其适合高频开关应用。其次，该MOSFET具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。此外，采用Trench沟槽结构，使得器件在相同尺寸下具有更高的性能密度。FDS4672-NL还具备快速开关特性，减少了开关损耗，提高了电源系统的响应速度。同时，其8-SOIC封装形式不仅节省PCB空间，还便于自动化生产和散热设计。由于其优异的性能指标和稳定的工作特性，FDS4672-NL广泛用于各类中高功率电源管理系统中。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V之间的驱动电压，适应多种驱动电路设计需求。此外，其具备良好的抗静电能力和较高的耐用性，能够在复杂电磁环境中稳定运行。FDS4672-NL的封装设计也有助于减少寄生电感，提高高频性能，使其在电源转换器和开关电路中表现出色。

应用

FDS4672-NL适用于多种电源管理和开关电路应用，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电源分配系统、工业自动化设备、服务器电源模块、消费类电子产品中的功率控制电路等。由于其低导通电阻和高效率特性，特别适合需要高效能和紧凑设计的电源系统，如便携式设备、电动工具、充电器、电源适配器等应用场景。