时间：2025/7/8 23:44:16
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FDS4435A 是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装。它主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景中，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。该器件由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）制造，适用于需要高效率和低损耗的电力电子应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：17A
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ
栅极电荷：9nC
总电容：150pF
功耗：25W
工作温度范围：-55℃至+150℃
FDS4435A 具有非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
其优化的栅极电荷使得开关损耗保持在较低水平，从而非常适合高频开关应用。
器件的高雪崩能量能力确保了其在异常条件下的稳健性能。
此外，TO-263封装提供了良好的热性能和电气连接可靠性，便于散热设计。
该器件广泛应用于计算机和通信设备中的开关模式电源(SMPS)，如笔记本电脑适配器和服务器电源。
此外，FDS4435A 还可用于电动工具、家用电器以及工业自动化控制中的直流电机驱动。
在负载点(POL)转换器和同步整流电路中也常见到该MOSFET的身影。
其高性能和可靠性使其成为各种高效能电力转换解决方案的理想选择。
FDP5800
IRFZ44N
FDS5983
STP17NF06
