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FDS2670-NL 发布时间 时间:2025/7/9 2:28:28 查看 阅读:9

FDS2670-NL是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Fairchild Semiconductor(现为Onsemi安森美)生产。该器件适用于广泛的电源管理应用,包括开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。其设计旨在提供低导通电阻和快速开关特性,从而提高效率并降低功耗。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:4.8A
  导通电阻(Rds(on)):50mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  栅极电荷:3.9nC(典型值)
  总电容:150pF(输入电容)
  开关时间:ton=10ns,toff=20ns(典型值)
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

FDS2670-NL具有以下关键特性:
  1. 低导通电阻,可有效减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关速度,支持高频操作,适用于高频开关电源设计。
  3. 较低的栅极电荷,有助于减少驱动功耗。
  4. 小型封装(SOT-23-3L),适合空间受限的应用场景。
  5. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  这些特性使得FDS2670-NL成为许多便携式电子设备和高效能电源解决方案的理想选择。

应用

FDS2670-NL广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  4. 电机驱动电路中的功率级控制。
  5. 消费类电子产品中的保护电路设计,如过流保护和短路保护。
  由于其紧凑的封装和高效性能,FDS2670-NL特别适合于需要高密度集成和高效率的设计。

替代型号

FDS2671NL, FDS2560NL, FDN304P

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