FDS2670-NL是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Fairchild Semiconductor(现为Onsemi安森美)生产。该器件适用于广泛的电源管理应用,包括开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。其设计旨在提供低导通电阻和快速开关特性,从而提高效率并降低功耗。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:4.8A
导通电阻(Rds(on)):50mΩ(典型值,Vgs=10V时)
栅极电荷:3.9nC(典型值)
总电容:150pF(输入电容)
开关时间:ton=10ns,toff=20ns(典型值)
工作温度范围:-55℃至+150℃
FDS2670-NL具有以下关键特性:
1. 低导通电阻,可有效减少传导损耗,提升系统效率。
2. 快速开关速度,支持高频操作,适用于高频开关电源设计。
3. 较低的栅极电荷,有助于减少驱动功耗。
4. 小型封装(SOT-23-3L),适合空间受限的应用场景。
5. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
这些特性使得FDS2670-NL成为许多便携式电子设备和高效能电源解决方案的理想选择。
FDS2670-NL广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级控制。
5. 消费类电子产品中的保护电路设计,如过流保护和短路保护。
由于其紧凑的封装和高效性能,FDS2670-NL特别适合于需要高密度集成和高效率的设计。
FDS2671NL, FDS2560NL, FDN304P