FDS0080是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件设计用于高效能、低电压操作,适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等应用领域。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):4.1A(在VGS=10V时)
漏极-源极击穿电压(VDS):30V
栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):约35mΩ(在VGS=10V时)
功率耗散(PD):1.4W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:SOT-223
FDS0080具有低导通电阻特性,使其在导通状态下损耗较小,提高了整体系统的效率。此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持4.5V至20V的VGS,适用于多种控制电路配置。FDS0080采用SOT-223封装,具有良好的热性能和空间利用率,适合在紧凑型电路设计中使用。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和短路保护特性,增强了其在高可靠性应用中的适用性。
在动态特性方面,FDS0080拥有较低的输入和输出电容,有助于实现快速的开关响应,减少开关损耗,并提升系统的整体性能。此外,该器件的阈值电压较低,通常在1V至2.5V之间,使得其在低电压控制系统中表现优异。由于其优良的电气和热性能,FDS0080成为许多中低功率电源管理应用的理想选择。
FDS0080主要用于中低功率的电源管理系统中,如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池充电器以及负载开关等应用。其低导通电阻和快速开关特性也使其适合用于马达控制、LED驱动器和电源管理模块中。此外,在消费类电子产品、工业自动化设备以及便携式电子设备中也有广泛应用。
FDMS0080, FDS6680, Si4410BDY, IRF7413