类型：N沟道 MOSFET
　　拓扑结构：双N沟道
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：10A（单通道）
　　最大导通电阻(RDS(on))：22mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：8-Pin SOIC
　　安装类型：表面贴装（SMD）

FDR6674A-NL 是一款专为高性能功率转换应用设计的双N沟道MOSFET器件，其主要优势在于其低导通电阻和高电流承载能力。这款MOSFET的RDS(on)典型值为22毫欧姆，在VGS为10V时可实现较低的导通损耗，从而提高系统效率。此外，该器件的额定漏极电流为每通道10A，能够满足大多数中等功率应用的需求。FDR6674A-NL采用先进的平面工艺制造，具有良好的热稳定性和高耐用性，适用于高频开关操作。
　　该器件的8引脚SOIC封装不仅节省空间，还便于PCB布局和散热管理。此外，其±20V的栅源电压耐受能力使其在各种驱动条件下都具有良好的可靠性和稳定性。FDR6674A-NL的另一个重要特性是其低栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，从而进一步提高电源转换效率。这些特性使其成为DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统以及各种负载开关电路的理想选择。
　　此外，FDR6674A-NL的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，使其能够在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子、通信设备等对可靠性要求较高的应用场合。

FDR6674A-NL 主要应用于需要高效功率转换与管理的电路中。其典型应用包括但不限于：同步整流式DC-DC转换器、电池充电与管理系统、负载开关与电源分配系统、电机驱动电路、电源管理模块以及各种高效率开关电源（SMPS）设备。此外，该器件也适用于工业控制、通信设备和消费类电子产品中的电源部分设计。

FDMS6674A、FDS6674A、Si7454DP、FDMS6670、FDMS6675