FDQ10N20L 时间：2025/8/25 2:13:36 阅读：12

FDQ10N20L是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由ON Semiconductor（安森美半导体）生产。该器件设计用于高效率、高功率密度的应用，具备低导通电阻、高击穿电压和良好的热性能。FDQ10N20L的漏源电压（VDS）额定为200V，连续漏极电流（ID）为10A，适用于多种功率转换和电源管理应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：10A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.45Ω（在VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK等

特性

FDQ10N20L具有多个关键特性，使其适用于高功率应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件的高击穿电压（200V）使其适用于多种高压电源和电机控制应用。FDQ10N20L采用了先进的沟槽技术，提供更好的热稳定性和更高的电流承载能力。
　　此外，该MOSFET具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。其栅极设计具有较高的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定运行。封装形式包括TO-220和D2PAK，便于散热和安装，适合工业级和汽车电子应用。
　　FDQ10N20L还具备良好的短路和过载保护能力，确保在异常工作条件下仍能保持可靠性。其栅极氧化层具有高耐压能力，减少因过压引起的失效风险。同时，该器件符合RoHS环保标准，支持绿色电子产品的设计。