时间：2025/12/29 15:28:14
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FDPF51N25YD 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款晶体管专为高功率、高速开关应用而设计，适用于诸如电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等场景。FDPF51N25YD 采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和可靠性，适合在中高功率应用中使用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：51A
最大漏源电压（VDS）：250V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：0.042Ω @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
FDPF51N25YD 功率 MOSFET 具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件支持高达 51A 的连续漏极电流，具备出色的电流处理能力。其快速开关特性使其非常适合用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和同步整流器。此外，该 MOSFET 内部集成了一个快速恢复二极管（FRD），有助于减少外部元件数量并简化电路设计。FDPF51N25YD 的 TO-252 封装提供了良好的散热性能，能够在高功率密度环境下稳定工作。该器件还具有高雪崩能量耐受能力，增强了在恶劣工作条件下的可靠性和寿命。
FDPF51N25YD 的栅极驱动电压范围宽，典型工作电压为 10V，兼容标准驱动器电路。其封装设计符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品制造。该 MOSFET 在高温环境下仍能保持稳定性能，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
FDPF51N25YD 常用于各种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、负载开关以及工业自动化设备。其高电流能力和快速开关特性也使其适用于汽车电子中的功率控制模块，如车载充电器（OBC）和电动助力转向系统（EPS）。此外，该器件也可用于不间断电源（UPS）、光伏逆变器和电焊机等高功率设备。
FDPF50N25T6, FDPF60N20YT, FDPF51N25YO
