时间：2025/5/7 12:16:09
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FDPF18N50是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电压、高效率的应用场景。该器件采用TO-220封装形式，具备低导通电阻和快速开关性能的特点，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。
最大漏源电压：500V
最大连续漏极电流：18A
导通电阻：1.4Ω（典型值）
栅极阈值电压：3V~5V
总功耗：175W
结温范围：-55℃~150℃
FDPF18N50具有以下主要特性：
1. 高耐压能力：能够承受高达500V的漏源电压，适合高压环境应用。
2. 低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻仅为1.4Ω，从而减少功率损耗。
3. 快速开关性能：具备较低的输入和输出电荷，有助于实现高频开关操作。
4. 热稳定性强：支持较高的结温范围，确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
5. 可靠性高：符合工业级标准，提供长期稳定的性能表现。
FDPF18N50主要应用于以下领域：
1. 开关电源：用于AC-DC或DC-DC转换器中，提高电源转换效率。
2. 电机驱动：为各类电机控制系统提供高效的开关功能。
3. 逆变器：用于光伏逆变器或其他类型的电力逆变设备。
4. 工业控制：包括各种工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 能量存储系统：参与电池管理系统中的充放电控制电路设计。
IRFP180N50,
FQP18N50,
STP18NF50
