时间：2025/6/26 18:00:13
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FDPF18N20FT是一款由Fairchild（现已被ON Semiconductor收购）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，适用于高效率、高频率的开关应用。其额定电压为200V，连续漏极电流可达13A，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于电源管理、电机驱动和工业控制等场景。
该MOSFET设计优化了性能与可靠性的平衡，在高温环境下仍能保持稳定的工作状态。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：13A
导通电阻：1.2Ω（典型值，@ VGS=10V）
栅极电荷：19nC（典型值）
输入电容：1450pF（典型值）
总功耗：12W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：DPAK（TO-252）
FDPF18N20FT采用了先进的制造工艺以降低导通电阻，从而减少传导损耗并提高整体效率。同时，它具备出色的热稳定性，能够在极端温度条件下正常运行。
此外，这款MOSFET拥有快速开关能力，可以显著减少开关损耗，非常适合高频应用场景。其坚固的设计也使其能够承受较高的瞬态电压，延长使用寿命。
FDPF18N20FT还具备较低的栅极电荷和输出电容，这有助于简化驱动电路设计，并且提高了系统的响应速度和动态性能。
FDPF18N20FT广泛应用于各种需要高效功率转换的领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业逆变器
5. 负载切换与保护电路
6. UPS不间断电源系统
由于其高耐压和大电流承载能力，这款MOSFET也非常适合汽车电子和可再生能源设备中的功率管理模块。
IRF640N
STP17NF06
FDS6680
IXFN230N20T
AO3400
