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FDPF17N60NT 发布时间 时间:2025/7/4 6:34:59 查看 阅读:18

FDPF17N60NT 是一款由 Fairchild(现已被 ON Semiconductor 收购)生产的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适合应用于需要高效能的电力电子转换系统中。此 MOSFET 的额定电压为 600V,使其适用于各种高压场景。
  这款元器件的主要应用领域包括但不限于开关电源、逆变器、电机驱动以及各类工业控制设备等。其优化的性能参数使其在高频工作条件下仍然能够保持较低的功耗。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:17A
  导通电阻(典型值):0.18Ω
  栅极电荷(典型值):50nC
  输入电容:1200pF
  结温范围:-55℃ 至 150℃

特性

FDPF17N60NT 具有以下显著特性:
  1. 高击穿电压:额定电压为 600V,可以满足大多数高压应用场景的需求。
  2. 低导通电阻:典型值仅为 0.18Ω,在大电流负载下减少了传导损耗。
  3. 快速开关能力:由于其较小的栅极电荷和优化的内部结构设计,开关频率得以提升,从而提高了系统的整体效率。
  4. 稳定性强:即使在极端温度条件下,器件仍能保持较高的可靠性。
  5. 小型化封装:有助于简化 PCB 设计并节省空间,同时提供良好的散热性能。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于 AC-DC 或 DC-DC 转换电路中,以实现高效的能量转换。
  2. 逆变器:特别是在太阳能逆变器中,利用其高压特性和快速开关能力。
  3. 电机驱动:为直流无刷电机或步进电机提供高效的功率驱动解决方案。
  4. 工业自动化:如伺服系统、PLC 控制单元中的功率开关组件。
  5. PFC(功率因数校正)电路:提高用电设备对电网的适应性及效率。

替代型号

FDZ17N60B, IRFP460, STP17NF60

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FDPF17N60NT参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UniFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C340 毫欧 @ 8.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs65nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3040pF @ 25V
  • 功率 - 最大62.5W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 全封装,成形引线
  • 供应商设备封装TO-220-3
  • 包装管件
  • 其它名称FDPF17N60NT-NDFDPF17N60NTFS