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FDPF15N65 发布时间 时间:2025/5/12 12:05:55 查看 阅读:9

FDPF15N65是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的高压功率MOSFET。该器件采用N沟道增强型结构,专为高频开关应用设计,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动等场景。
  这款MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高效率并降低功耗。其额定电压为650V,使其非常适合高压环境下的电力电子应用。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:2.4Ω(典型值,在特定条件下)
  栅极电荷:39nC(典型值)
  输入电容:2720pF(典型值)
  总功耗:285W
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-247

特性

FDPF15N65的主要特性包括:
  1. 高额定电压(650V),适合各种高压应用。
  2. 低导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  3. 快速开关速度,减少开关损耗,特别适用于高频开关应用。
  4. 具备良好的热稳定性,能够在宽温度范围内可靠运行。
  5. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  6. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

FDPF15N65的典型应用场景包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或升压电路。
  3. 逆变器电路中的功率开关。
  4. 电机驱动中的桥臂开关。
  5. 各类工业控制设备中的功率转换模块。
  6. 能量存储系统的充放电管理电路。

替代型号

FDMS15N65,
  FDPF15N65L,
  IRFP260N,
  STP15NB65,
  INF65P15N

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FDPF15N65参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UniFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C440 毫欧 @ 7.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3095pF @ 25V
  • 功率 - 最大38.5W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220F
  • 包装管件