时间：2025/7/23 19:34:54
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FDPF13N50FT是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高电压、中等电流的应用场合，例如电源转换器、马达控制、负载开关以及DC-DC转换器等。其具有较高的耐用性和热稳定性，适合在要求较高功率密度和效率的系统中使用。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：500V
连续漏极电流（ID）@25℃：13A
导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω（最大值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
输入电容（Ciss）：980pF
功率耗散（PD）：62.5W
工作温度范围：-55℃~+150℃
FDPF13N50FT采用了先进的平面技术，确保了器件在高压和高电流条件下的稳定运行。该器件的导通电阻较低，能够在导通状态下提供较小的电压降，从而减少能量损耗并提高系统效率。
此外，该MOSFET具有较高的热阻能力，能够在高温环境下保持良好的工作性能。这使其在散热条件有限的设计中也具有较高的可靠性。
封装方面，FDPF13N50FT通常采用TO-220封装，这种封装形式具有良好的机械稳定性和热传导性能，便于安装在散热片上，以增强散热效果。
此器件还具备良好的抗雪崩击穿能力，使其能够在瞬态高电压或电感负载切换时保持稳定，适用于多种电源管理场景。
FDPF13N50FT广泛应用于多种电力电子设备中，例如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及电动工具中的马达控制模块。此外，它也可用于LED照明系统中的恒流驱动电路，以及家用电器中的功率控制单元。
由于其良好的耐压性能和导通特性，该器件还适合用于太阳能逆变器、电池充电器和电焊机等高功率应用场合。
FDPF13N50, FDPF15N50FT, FDPF10N50
