时间：2025/8/24 13:36:07
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FDPF13N50F是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件设计用于高效能、高可靠性的开关电路，能够承受较高的电压和电流负载，适用于如电源适配器、DC-DC转换器、电机控制以及各种开关电源系统。
类型：N沟道
漏极电流（ID）：13A
漏极-源极击穿电压（VDS）：500V
栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
FDPF13N50F具有较低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。其高耐压能力（500V）使其适用于中高功率的开关电源应用。
该MOSFET具备良好的热稳定性和过载能力，能够在高温环境下稳定工作。此外，FDPF13N50F的封装形式为TO-220，这种封装便于安装散热片，提高散热效率，从而增强器件在高电流条件下的可靠性。
其栅极驱动电压范围较宽（±30V），允许使用不同的驱动电路设计。同时，该器件具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。
由于其结构设计和制造工艺，FDPF13N50F还具备较高的雪崩能量耐受能力，可以在非正常工作条件下提供额外的保护。
FDPF13N50F广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路、照明系统（如LED驱动）以及工业自动化控制系统。
在开关电源中，FDPF13N50F用于主开关元件，实现高效的能量转换。
在电机控制应用中，它可用于H桥结构以控制电机的转向和速度。
此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、光伏逆变器和电池管理系统等高可靠性应用场景。
FDPF13N50FD-F1B, FDPF16N50U, FQP13N50C, IRFBC40
